IXTQ100N25P

IXYS
747-IXTQ100N25P
IXTQ100N25P

Fab. :

Description :
MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
27 Semaines Délai de production estimé en usine.
Long délai signalé sur ce produit.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
14,59 € 14,59 €
11,11 € 111,10 €
8,14 € 976,80 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
IXYS
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-3P-3
N-Channel
1 Channel
250 V
100 A
27 mOhms
- 20 V, 20 V
5 V
185 nC
- 55 C
+ 150 C
600 W
Enhancement
PolarHT
Tube
Marque: IXYS
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: KR
Temps de descente: 28 ns
Transconductance directe - min.: 40 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 26 ns
Série: IXTQ100N25
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 100 ns
Délai d'activation standard: 25 ns
Poids de l''unité: 5,500 g
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

PCN

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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