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IXTQ110N10P

Name: IXYS IXTQ110N10P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTQ110N10P
Price: 8.8 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXTQ110N10P

N° de fab. :

IXTQ110N10P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds

Fiche technique:

IXTQ110N10P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	8,80 €	8,80 €
	6,01 €	60,10 €
	4,95 €	594,00 €
	4,36 €	2 223,60 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-3P-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	110 A
Rds On - Résistance drain-source:	15 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	110 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	480 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PolarHT
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	25 ns
Transconductance directe - min.:	30 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	25 ns
Série:	IXTQ110N10
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	65 ns
Délai d'activation standard:	21 ns
Poids de l''unité:	5,500 g