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IXTQ30N60L2

Name: IXYS IXTQ30N60L2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTQ30N60L2
Price: 20.28 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXTQ30N60L2

N° de fab. :

IXTQ30N60L2

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 30 Amps 600V

Fiche technique:

IXTQ30N60L2 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	20,28 €	20,28 €
	16,24 €	162,40 €
	14,04 €	1 684,80 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-3P-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	30 A
Rds On - Résistance drain-source:	240 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	335 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	540 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	Linear L2
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	43 ns
Transconductance directe - min.:	10 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	65 ns
Série:	IXTQ30N60
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	123 ns
Délai d'activation standard:	43 ns
Poids de l''unité:	1,600 g

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Fiche technique

IXTQ30N60L2 Fiche technique

PCN

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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