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IXTQ30N60P

Name: IXYS IXTQ30N60P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTQ30N60P
Price: 6.39 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXTQ30N60P

N° de fab. :

IXTQ30N60P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds

Fiche technique:

IXTQ30N60P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-3P-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	30 A
Rds On - Résistance drain-source:	240 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	540 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	25 ns
Transconductance directe - min.:	25 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	20 ns
Série:	IXTQ30N60
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	80 ns
Délai d'activation standard:	29 ns
Poids de l''unité:	5,500 g