IXTQ36P15P

IXYS
747-IXTQ36P15P
IXTQ36P15P

Fab. :

Description :
MOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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En stock: 3 247

Stock:
3 247 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
28 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
9,12 € 9,12 €
4,95 € 49,50 €
4,35 € 522,00 €
4,33 € 2 208,30 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
IXYS
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-3P-3
P-Channel
1 Channel
150 V
36 A
110 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
55 nC
- 55 C
+ 150 C
300 W
Enhancement
Tube
Marque: IXYS
Configuration: Single
Temps de descente: 15 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 31 ns
Série: IXTQ36P15
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 P-Channel
Délai de désactivation type: 36 ns
Délai d'activation standard: 21 ns
Poids de l''unité: 1,600 g
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

PCN

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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