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IXTQ60N10T

Name: IXYS IXTQ60N10T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTQ60N10T
Price: 2.45 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXTQ60N10T

N° de fab. :

IXTQ60N10T

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET TO3P 100V 60A N-CH TRENCH

Fiche technique:

IXTQ60N10T Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-3P
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	60 A
Rds On - Résistance drain-source:	18 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	176 W
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	37 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	40 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	43 ns
Délai d'activation standard:	27 ns
Poids de l''unité:	1,600 g

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Fiche technique

IXTQ60N10T Fiche technique

PCN

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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