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IXTQ69N30P

Name: IXYS IXTQ69N30P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTQ69N30P
Price: 12.27 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXTQ69N30P

N° de fab. :

IXTQ69N30P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds

Fiche technique:

IXTQ69N30P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	12,27 €	12,27 €
	8,52 €	85,20 €
	6,85 €	822,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-3P-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	300 V
Id - Courant continu de fuite:	69 A
Rds On - Résistance drain-source:	49 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	180 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	500 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	27 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	25 ns
Série:	IXTQ69N30
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	75 ns
Délai d'activation standard:	25 ns
Poids de l''unité:	5,500 g