Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

IXTQ86N25T

Name: IXYS IXTQ86N25T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTQ86N25T
Price: 4.62 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXTQ86N25T

N° de fab. :

IXTQ86N25T

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET TO3P 250V 86A N-CH TRENCH

Fiche technique:

IXTQ86N25T Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de IXYS IXTQ86N25T

Disponibilité

Stock:: Non stocké

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 23 Semaines Délai de production estimé en usine.

Entrez la quantité:

Minimum : 300 Multiples : 30

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,62 €	1 386,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-3P-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	250 V
Id - Courant continu de fuite:	86 A
Rds On - Résistance drain-source:	37 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	540 W
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	25 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	28 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	55 ns
Délai d'activation standard:	22 ns
Poids de l''unité:	1,600 g