IXTT10N100D2

IXYS
747-IXTT10N100D2
IXTT10N100D2

Fab. :

Description :
MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFET

Modèle de ECAO:
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En stock: 893

Stock:
893 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
49 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
23,43 € 23,43 €
18,76 € 187,60 €
16,21 € 1 945,20 €
15,35 € 7 828,50 €
1 020 Devis

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
IXYS
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D3PAK-3 (TO-268-3)
N-Channel
1 Channel
1 kV
10 A
1.5 Ohms
- 20 V, 20 V
4.5 V
200 nC
- 55 C
+ 150 C
695 W
Depletion
Tube
Marque: IXYS
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: PH
Type de produit: MOSFETs
Série: IXTT10N100
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Poids de l''unité: 6,500 g
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99