IXTT16N20D2

IXYS
747-IXTT16N20D2
IXTT16N20D2

Fab. :

Description :
MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFET

Modèle de ECAO:
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IXYS
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D3PAK-3 (TO-268-3)
N-Channel
1 Channel
200 V
16 A
73 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
208 nC
- 55 C
+ 150 C
695 W
Depletion
Tube
Marque: IXYS
Configuration: Single
Temps de descente: 135 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 130 ns
Série: IXTT16N20
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 270 ns
Délai d'activation standard: 46 ns
Poids de l''unité: 6,500 g
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
TARIC:
8541900000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

D2 Series N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

IXYS D2 Series 100V to 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs are depletion mode devices that operate in a normally "on" mode, requiring zero turn-on voltage at the gate terminal. IXYS D2 series provides blocking voltages up to 1700V and low drain-to-source resistances to provide simplified control and reduced power dissipation in systems that are continuously “on," like emergency or burglar alarms.