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IXTT20N50D

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N° Mouser :

747-IXTT20N50D

N° de fab. :

IXTT20N50D

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds

Fiche technique:

IXTT20N50D Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Disponibilité

Stock:: Indisponible

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-268-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	500 V
Id - Courant continu de fuite:	20 A
Rds On - Résistance drain-source:	330 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	78.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	400 W
Mode canal:	Depletion
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	75 ns
Transconductance directe - min.:	4 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	85 ns
Série:	IXTT20N50
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	110 ns
Délai d'activation standard:	35 ns
Poids de l''unité:	4,500 g