IXTT2N170D2

IXYS
747-IXTT2N170D2
IXTT2N170D2

Fab. :

Description :
MOSFET 1700V 2A

Modèle de ECAO:
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En stock: 108

Stock:
108 Expédition possible immédiatement
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
29,49 € 29,49 €
26,26 € 262,60 €
23,13 € 2 775,60 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
IXYS
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D3PAK-3 (TO-268-3)
N-Channel
1 Channel
1.7 kV
2 A
6.5 Ohms
- 20 V, 20 V
4.5 V
110 nC
- 55 C
+ 150 C
568 W
Depletion
Tube
Marque: IXYS
Temps de descente: 106 ns
Transconductance directe - min.: 1.4 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 58 ns
Série: IXTT2N170
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
Délai de désactivation type: 33 ns
Délai d'activation standard: 28 ns
Poids de l''unité: 6,500 g
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
TARIC:
8541900000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors


D2 Series N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

IXYS D2 Series 100V to 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs are depletion mode devices that operate in a normally "on" mode, requiring zero turn-on voltage at the gate terminal. IXYS D2 series provides blocking voltages up to 1700V and low drain-to-source resistances to provide simplified control and reduced power dissipation in systems that are continuously “on," like emergency or burglar alarms.