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IXTT52N30P

Name: IXYS IXTT52N30P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTT52N30P
Price: 6.04 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXTT52N30P

N° de fab. :

IXTT52N30P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Rds

Fiche technique:

IXTT52N30P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	300 V
Id - Courant continu de fuite:	52 A
Rds On - Résistance drain-source:	66 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	400 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	20 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	22 ns
Série:	IXTT52N30
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	60 ns
Délai d'activation standard:	24 ns
Poids de l''unité:	4,500 g