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IXTU4N70X2

Name: IXYS IXTU4N70X2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTU4N70X2
Price: 4.6 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXTU4N70X2

N° de fab. :

IXTU4N70X2

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET TO251 700V 4A N-CH X2CLASS

Fiche technique:

IXTU4N70X2 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	3,02 €	30,20 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-251-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	700 V
Id - Courant continu de fuite:	2 A
Rds On - Résistance drain-source:	850 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	11.8 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	80 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	28 ns
Transconductance directe - min.:	2.6 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	27 ns
Nombre de pièces de l'usine:	70
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	66 ns
Délai d'activation standard:	20 ns
Poids de l''unité:	340 mg

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Fiche technique

IXTU4N70X2 Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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