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IXTY01N100D

Name: IXYS IXTY01N100D
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTY01N100D
Price: 4.7 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXTY01N100D

N° de fab. :

IXTY01N100D

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25

Fiche technique:

IXTY01N100D Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,70 €	4,70 €
	3,04 €	30,40 €
	2,43 €	170,10 €
	2,13 €	1 192,80 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

IXTY01N100D-TRL

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

5,33 €

Min.:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1 kV
Id - Courant continu de fuite:	100 mA
Rds On - Résistance drain-source:	80 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	5.8 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.1 W
Mode canal:	Depletion
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	6 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6 ns
Nombre de pièces de l'usine:	70
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	30 ns
Délai d'activation standard:	8 ns
Poids de l''unité:	330 mg

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Fiche technique

IXTY01N100D Fiche technique (PDF)

PCN

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Codes de conformité

TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Standard N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

IXYS Standard 500V to 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs are depletion mode MOSFETs that require a negative gate bias to turn off. The modules remain on at or above zero gate bias voltage but otherwise have similar MOSFET-like characteristics. The series is suitable for level shifting, solid-state relays, current regulators, and active loads.