IXTY08N50D2-TRL

IXYS
747-IXTY08N50D2-TRL
IXTY08N50D2-TRL

Fab. :

Description :
Modules MOSFET DISCRETE SEMICONDUCTOR MODULES

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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En stock: 2 234

Stock:
2 234 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
32 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
3,16 € 3,16 €
2,07 € 20,70 €
1,44 € 144,00 €
1,27 € 635,00 €
1,25 € 1 250,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
1,25 € 3 125,00 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
IXTY08N50D2
Conditionnement:
Tube
Disponibilité:
En stock
Prix:
1,99 €
Min.:
1

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
IXYS
Catégorie du produit: Modules MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-252-3
N-Channel
500 V
800 mA
4.6 Ohms
- 20 V, + 20 V
- 4.5 V
- 55 C
+ 150 C
60 W
Reel
Cut Tape
Marque: IXYS
Configuration: Single
Temps de descente: 52 ns
Type de produit: MOSFET Modules
Temps de montée: 54 ns
Nombre de pièces de l'usine: 2500
Sous-catégorie: Discrete and Power Modules
Type: Depletion Mode
Délai de désactivation type: 35 ns
Délai d'activation standard: 28 ns
Vr - Tension inverse: 100 V
Poids de l''unité: 350 mg
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

PCN

TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

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