Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

IXTY1N120P

Name: IXYS IXTY1N120P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTY1N120P
Price: 2.12 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXTY1N120P

N° de fab. :

IXTY1N120P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 1 Amps 1200V 20 Rds

Fiche technique:

IXTY1N120P Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de IXYS IXTY1N120P

Disponibilité

Stock:: Non stocké

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 32 Semaines Délai de production estimé en usine.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 350 Multiples : 70

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,12 €	742,00 €
	1,89 €	1 058,40 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	1 A
Rds On - Résistance drain-source:	20 Ohms
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	70
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	330 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

                        
This part number was entered into the system incorrectly and
cannot be ordered from the Supplier.



5-9999-5

Filtrer les documents:

Fiche technique

IXTY1N120P Fiche technique

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

PRODUITS PRÉSENTÉS

IXYS

MOSFET de puissance X4-Class

Ils offrent une faible résistance à l'état passant et des pertes de conduction, avec une efficacité améliorée.

MOSFET de puissance 200 V de classe X4 MMIX1T500N20X4

Le boîtier isolé à base de céramique améliore la R_th(j-s) globale ainsi que la capacité de traitement de puissance.

MOSFET de puissance IXFP34N65X2W

650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

MOSFET de puissance IXFH46N65X2W

650V, 69mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

MOSFET de puissance IXFH34N65X2W

650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXTY1N120P

Fab. : IXYS

Description : MOSFET 1 Amps 1200V 20 Rds

Disponibilité

Prix (EUR)

Caractéristiques

Commentaire Produit

Documents (1)

Fiche technique

Documents environnementaux

Conformité des produits

PRODUITS PRÉSENTÉS IXYS

Aperçu rapide

Une erreur inattendue est survenue.

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 1 Amps 1200V 20 Rds

PRODUITS PRÉSENTÉS

IXYS