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IXTY1R4N120P-TRL

Name: IXYS IXTY1R4N120P-TRL
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTY1R4N120P-TRL
Price: 2.22 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXTY1R4N120P-TRL

N° de fab. :

IXTY1R4N120P-TRL

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET IXTY1R4N120P TRL

Fiche technique:

IXTY1R4N120P-TRL Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

IXTY1R4N120P

Conditionnement:

Tube

Disponibilité:

En stock

Prix:

5,56 €

Min.:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	1.4 A
Rds On - Résistance drain-source:	13 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	24.8 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	86 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	Polar
Conditionnement:	Reel
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	29 ns
Transconductance directe - min.:	0.8 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	27 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	78 ns
Délai d'activation standard:	25 ns
Poids de l''unité:	330 mg