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IXTY2N100P

Name: IXYS IXTY2N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTY2N100P
Price: 4.93 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXTY2N100P

N° de fab. :

IXTY2N100P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 2 Amps 1000V 7.5 Rds

Fiche technique:

IXTY2N100P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,93 €	4,93 €
	3,23 €	32,30 €
	2,40 €	168,00 €
	2,01 €	1 125,60 €
	1,87 €	1 963,50 €
	1,76 €	4 435,20 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1 kV
Id - Courant continu de fuite:	2 A
Rds On - Résistance drain-source:	7.5 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	24.3 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	86 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	27 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	29 ns
Série:	IXTY2N100
Nombre de pièces de l'usine:	70
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	80 ns
Délai d'activation standard:	25 ns
Poids de l''unité:	330 mg