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MMIX1T600N04T2

Name: IXYS MMIX1T600N04T2
Brand: IXYS
SKU: 747-MMIX1T600N04T2
Price: 27.98 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-MMIX1T600N04T2

N° de fab. :

MMIX1T600N04T2

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 40V 600A

Fiche technique:

MMIX1T600N04T2 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SMPD-24
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	600 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.5 V
Qg - Charge de grille:	590 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	830 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Type de produit:	MOSFETs
Série:	MMIX1T600N04
Nombre de pièces de l'usine:	20
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	8 g

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Fiche technique

MMIX1T600N04T2 Fiche technique

PCN

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Codes de conformité

TARIC:: 8541900000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541900000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8542900006
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Dispositifs de puissance HiPerFET et MOSFET

Les dispositifs de puissance MOSFET et HiPerFET d' IXYS sont disponibles dans le boîtier SMPD, qui est beaucoup plus léger (généralement de 50 %) que lesmodules d'alimentation conventionnels comparables. Cela permet au concepteur de créer des systèmes d'alimentation plus légers. Grâce à son boîtier à profil ultra-mince et compact, il est possible d'utiliser le même dissipateur pour plusieurs dispositifs, ce qui permet d'économiser de l'espace sur le PCB. Un avantage supplémentaire d'être plus petit et plus léger est qu'il fournit une meilleure protection contre les vibrations et les forces g, en particulier s'il est utilisé dans les appareils portables. Cet avantage augmente également l'espérance de vie et la fiabilité des dispositifs.

Dispositif de puissance à montage en surface (SMPD)

Les dispositifs de puissance à montage en surface (SMPD) d'IXYS fournissent une solution innovante qui permet de nombreuses opportunités d'optimisation de la conception dans un grand nombre d'applications électroniques de puissance. Pesant seulement 8 g, le boîtier SMPD est généralement plus léger de 50 % que les modules de puissance conventionnels comparables, permettant ainsi de réduire le poids des systèmes d'alimentation. Grâce à son isolation interne par DCB, il est possible d'utiliser le même dissipateur thermique pour plusieurs dispositifs, ce qui réduit les efforts de gestion thermique. Un avantage supplémentaire d'être plus petit et plus léger est qu'il fournit une meilleure robustesse contre les vibrations et les forces g, en particulier s'il est utilisé dans des appareils portables, augmentant l'espérance de vie et la fiabilité de ces dispositifs.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.