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MTI85W100GC

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N° Mouser :

747-MTI85W100GC

N° de fab. :

MTI85W100GC

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 3-Phase Full Bridge with Trench MOSFET

Fiche technique:

MTI85W100GC Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Disponibilité

Stock:: Indisponible

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	ISOPLUS-DIL-17
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	6 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	120 A
Rds On - Résistance drain-source:	5.4 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 15 V, 15 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	88 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Hexa
Temps de descente:	40 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	55 ns
Nombre de pièces de l'usine:	104
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	6 N-Channel
Délai de désactivation type:	480 ns
Délai d'activation standard:	90 ns
Raccourcis pour l'article N°:	MTI85W100GC-SMD
Poids de l''unité:	25 g