1EDI3033ASXUMA1

Infineon Technologies
726-1EDI3033ASXUMA1
1EDI3033ASXUMA1

Fab. :

Description :
Commandes de grilles HVGD_TRACT

Modèle de ECAO:
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En stock: 888

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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
3,93 € 3,93 €
2,99 € 29,90 €
2,75 € 68,75 €
2,49 € 249,00 €
2,37 € 592,50 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
2,21 € 2 210,00 €
2,14 € 4 280,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: Commandes de grilles
RoHS:  
Isolated Gate Drivers
High-Side
SMD/SMT
DSO-20
1 Driver
1 Output
20 A
3 V
5.5 V
Inverting, Non-Inverting
55 ns
45 ns
- 40 C
+ 150 C
AEC-Q100
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Infineon Technologies
Type de logique: CMOS
Délai de désactivation max.: 120 ns
Délai d'activation max.: 120 ns
Sensibles à l’humidité: Yes
Courant d'alimentation de fonctionnement: 10 mA
Pd - Dissipation d’énergie : 300 mW
Type de produit: Gate Drivers
Temps de propagation maximal: 120 ns
Rds On - Résistance drain-source: 1 Ohms
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: SiC
Nom commercial: EiceDriver
Raccourcis pour l'article N°: 1EDI3033AS SP005423624
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542310075
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Allemagne
Pays d'origine de l'assemblage:
Indonésie
Pays de diffusion:
Allemagne
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Automotive Solutions

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Les CI pilotes de grille haute tension EiceDRIVER™ Infineon Technologies pour applications de véhicules électriques (VE) incluent les CI pilotes IGBT et les CI pilotes MOSFET SiC. Les CI pilotes de grille haute tension EiceDRIVER™ Infineon Technologies assurent une isolation galvanique et une transmission bidirectionnelle du signal avec une capacité de température ambiante élevée. Les CI permettent des délais de propagation extrêmement courts et prennent en charge les technologies IGBT et SiC jusqu’à 1 200 V. Les dispositifs intègrent des caractéristiques/paramètres clés pour piloter des MOSFET SiC tels qu'un comportement de commutation amélioré (capacité CMTI étendue, retard de propagation rapide, fréquence de commutation), une large plage d'alimentation côté sortie, un temps mort interne court et une adaptation du niveau de seuil DESAT/OCP. Des fonctions avancées de surveillance et de protection facilitent la mise en œuvre des exigences de sécurité fonctionnelle ISO 26262 et assurent un fonctionnement stable dans des environnements CEM difficiles.