AUIRFP4568

Infineon Technologies
942-AUIRFP4568
AUIRFP4568

Fab. :

Description :
MOSFET MOSFET_(120V 300V)

Modèle de ECAO:
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En stock: 1 118

Stock:
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Délai usine :
22 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
15,27 € 15,27 €
11,63 € 116,30 €
9,69 € 969,00 €
8,63 € 3 452,00 €
8,48 € 10 176,00 €
2 800 Devis

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
150 V
171 A
4.8 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
227 nC
- 55 C
+ 175 C
517 W
Enhancement
AEC-Q101
Tube
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Single
Temps de descente: 84 ns
Transconductance directe - min.: 162 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 119 ns
Nombre de pièces de l'usine: 400
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 47 ns
Délai d'activation standard: 27 ns
Poids de l''unité: 6 g
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Mexique
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance StrongIRFET™ de 100 V à 150 V

Les MOSFET de puissance 100 V à 150 V StrongIRFET™ d' Infineon Technologies sont optimisés pour une capacité à faible résistance à l'état passant (RDS(on)) et de courant élevé. Ces dispositifs offrent un RDS(on) aussi bas que 1,3 mΩ à 100 V et une capacité de traitement du courant aussi élevée que 209 A à 100 V. Ces caractéristiques se traduisent par une réduction des pertes de conduction et une augmentation de la densité de puissance tout en permettant toujours l'intégration des conceptions héritées. Les MOSFET de puissance StrongIRFET™ sont idéaux pour les applications à basse fréquence nécessitant performance et robustesse. Le portefeuille complet couvre un large éventail d'applications, notamment les moteurs CC, les systèmes de gestion de batterie, les onduleurs et les convertisseurs CC-CC.

StrongIRFET™ Power MOSFETs

Infineon StrongIRFET™ Power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. These devices are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. These MOSFETs have the highest current-carrying capability in the industry. This feature leads to increased robustness and reliability for high power density applications which require high efficiency and reliability.