BFP843H6327XTSA1

Infineon Technologies
726-BFP843H6327XTSA1
BFP843H6327XTSA1

Fab. :

Description :
Transistors bipolaires RF RF BIP TRANSISTORS

Modèle de ECAO:
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0,174 € 1 566,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: Transistors bipolaires RF
RoHS:  
Si
SOT-343-4
Reel
Cut Tape
Marque: Infineon Technologies
Type de produit: RF Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Raccourcis pour l'article N°: BFP 843 H6327 SP001062586
Poids de l''unité: 7 mg
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210075
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

RF Solutions for IoT applications

Infineon Technologies RF Solutions portfolio delivers high-performance RF technology products for reliable wireless connectivity in IoT applications. The number of IoT devices is growing at an astonishing rate. At the same time, customers expect a superior user experience in terms of product design and functionality.

Transistors RF Infineon

Les transistors RF Infineon comportent des transistors à haute linéarité et des amplificateurs à faible bruit. Les composants figurant dans la catégorie à faible bruit sont basés sur une technologie de silicium bipolaire. Une fréquence de transition modérée de fT < 20 GHz procure facilité d'utilisation et stabilité. La tension de rupture peut soutenir en toute sécurité une tension d'alimentation de 5 V. Ces transistors conviennent à une utilisation AM sur VHF/UHF, jusqu'à 14 GHz.

Transistors à haute linéarité fournissant un OIP3 (Output 3rd Order Intercept Point, point d'intersection au 3e ordre en sortie) supérieur à 29 dBm. Ils sont basés sur les technologies SiGe:C et bipolaires de silicium en gros volume d'Infineon pour atteindre les meilleurs chiffres au niveau du bruit de leur catégorie. Ces composants sont idéaux pour les pilotes, pré-amplificateurs et amplificateurs à tampon.