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BFR 380L3 E6327

Name: Infineon BFR 380L3 E6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BFR380L3E6327
Price: 0.57 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-BFR380L3E6327

N° de fab. :

BFR 380L3 E6327

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

Transistors bipolaires RF NPN Silicon RF TRANSISTOR

Fiche technique:

BFR 380L3 E6327 Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 15000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,576 €	0,58 €
	0,357 €	3,57 €
	0,241 €	24,10 €
	0,174 €	87,00 €
	0,148 €	148,00 €
	0,133 €	332,50 €
	0,118 €	590,00 €
	0,108 €	1 080,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 15000)
	0,098 €	1 470,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

BFR380L3E6327XTMA1

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

0,27 €

Min.:

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Fab. :

Infineon Technologies

N° de fab. :

BFR380L3E6327XTMA1

Description :

Transistors bipolaires RF NPN Silicon RF TRANSISTOR

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires RF
RoHS:
Série:	BFR380L3
Type de transistor:	Bipolar
Technologie:	Si
Polarité du transistor:	NPN
Fréquence de fonctionnement:	14 GHz
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	90
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	6 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	2 V
Courant de collecteur continu :	80 mA
Température de fonctionnement min.:	- 65 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Configuration:	Single
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TSLP
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Courant CC max. du collecteur:	80 mA
Pd - Dissipation d’énergie :	380 mW
Type de produit:	RF Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	15000
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	SP000013562 BFR38L3E6327XT BFR380L3E6327XTMA1
Poids de l''unité:	0,540 mg

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Fiche technique

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Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Transistors RF Infineon

Les transistors RF Infineon comportent des transistors à haute linéarité et des amplificateurs à faible bruit. Les composants figurant dans la catégorie à faible bruit sont basés sur une technologie de silicium bipolaire. Une fréquence de transition modérée de fT < 20 GHz procure facilité d'utilisation et stabilité. La tension de rupture peut soutenir en toute sécurité une tension d'alimentation de 5 V. Ces transistors conviennent à une utilisation AM sur VHF/UHF, jusqu'à 14 GHz.

Transistors à haute linéarité fournissant un OIP3 (Output 3rd Order Intercept Point, point d'intersection au 3e ordre en sortie) supérieur à 29 dBm. Ils sont basés sur les technologies SiGe:C et bipolaires de silicium en gros volume d'Infineon pour atteindre les meilleurs chiffres au niveau du bruit de leur catégorie. Ces composants sont idéaux pour les pilotes, pré-amplificateurs et amplificateurs à tampon.

RF Solutions for IoT applications

Infineon Technologies RF Solutions portfolio delivers high-performance RF technology products for reliable wireless connectivity in IoT applications. The number of IoT devices is growing at an astonishing rate. At the same time, customers expect a superior user experience in terms of product design and functionality.