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BSB056N10NN3GXUMA2

Name: Infineon BSB056N10NN3GXUMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSB056N10NN3GXU2
Price: 1.15 EUR
Availability: OutOfStock

N° Mouser :

726-BSB056N10NN3GXU2

N° de fab. :

BSB056N10NN3GXUMA2

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET IFX FET >80 - 100V

Fiche technique:

BSB056N10NN3GXUMA2 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	MG-WDSON-2
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	83 A
Rds On - Résistance drain-source:	5.6 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	56 nC
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	78 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Marque:	Infineon Technologies
Temps de descente:	8 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	9 ns
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	25 ns
Délai d'activation standard:	15 ns
Raccourcis pour l'article N°:	BSB056N10NN3GXUMA2 SP005552062