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BSC093N04LS G

Name: Infineon BSC093N04LS G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSC093N04LSG
Price: 0.84 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-BSC093N04LSG

N° de fab. :

BSC093N04LS G

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3

Fiche technique:

BSC093N04LS G Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,843 €	0,84 €
	0,518 €	5,18 €
	0,354 €	35,40 €
	0,279 €	139,50 €
	0,232 €	232,00 €
	0,215 €	537,50 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	0,181 €	905,00 €
	0,179 €	1 790,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

BSC093N04LSGATMA1

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

0,86 €

Min.:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TDSON-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	49 A
Rds On - Résistance drain-source:	9.3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.2 V
Qg - Charge de grille:	18 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	35 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	OptiMOS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	2.8 ns
Transconductance directe - min.:	34 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	2.4 ns
Série:	OptiMOS 3
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	16 ns
Délai d'activation standard:	3.6 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SP000387929 BSC93N4LSGXT BSC093N04LSGATMA1
Poids de l''unité:	104,400 mg

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Fiche technique

BSC093N04LS G Fiche technique (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Malaisie

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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