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BSM25GD120DN2

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N° Mouser :

641-BSM25GD120DN2

N° de fab. :

BSM25GD120DN2

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

Modules IGBT 1200V 25A FL BRIDGE

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

BSM25GD120DN2 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Disponibilité

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	Modules IGBT
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Produit:	IGBT Silicon Modules
Configuration:	Full Bridge
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	2.5 V
Courant collecteur continu de 25 C:	35 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	180 nA
Pd - Dissipation d’énergie :	200 W
Package/Boîte:	EconoPACK 2A
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Conditionnement:	Tray
Marque:	Infineon Technologies
Tension de l'émetteur de porte max.:	20 V
Style de montage:	Screw Mount
Type de produit:	IGBT Modules
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Raccourcis pour l'article N°:	SP000100370 BSM25GD120DN2BOSA1
Poids de l''unité:	180 g