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BSM50GD120DN2

N° Mouser :

641-BSM50GD120DN2

N° de fab. :

BSM50GD120DN2

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

Modules IGBT 1200V 50A FL BRIDGE

Cycle de vie:

Modification de référence:

Révision de la référence uniquement. Le fabricant a modifié cette référence. Ceci est la référence précédente.

Fiche technique:

BSM50GD120DN2 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Notification d'expédition :

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Disponibilité

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	Modules IGBT
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Produit:	IGBT Silicon Modules
Configuration:	Hex
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	2.5 V
Courant collecteur continu de 25 C:	72 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	200 nA
Pd - Dissipation d’énergie :	350 W
Package/Boîte:	EconoPACK 2A
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Conditionnement:	Tray
Marque:	Infineon Technologies
Tension de l'émetteur de porte max.:	20 V
Style de montage:	Screw Mount
Type de produit:	IGBT Modules
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Raccourcis pour l'article N°:	SP000100359 BSM50GD120DN2BOSA1
Poids de l''unité:	250,125 g