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BSP171PH6327XTSA1

Name: Infineon BSP171PH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSP171PH6327XTSA
Price: 1.05 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-BSP171PH6327XTSA

N° de fab. :

BSP171PH6327XTSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3

Fiche technique:

BSP171PH6327XTSA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,05 €	1,05 €
	0,658 €	6,58 €
	0,433 €	43,30 €
	0,335 €	167,50 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	0,303 €	303,00 €
	0,263 €	526,00 €
	0,239 €	1 195,00 €
	0,237 €	2 370,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

SP001058824

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

1,01 €

Min.:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-223-4
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	1.9 A
Rds On - Résistance drain-source:	300 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.5 V
Qg - Charge de grille:	13 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.8 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	87 ns
Transconductance directe - min.:	1.4 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	25 ns
Série:	BSP171
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	208 ns
Délai d'activation standard:	6 ns
Raccourcis pour l'article N°:	BSP171P H6327 SP001058824
Poids de l''unité:	120 mg

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Fiche technique

BSP171PH6327XTSA1 Fiche technique (PDF)

Application Notes

Models

Other

Packaging:PG-SOT223-4-21 | BSP171PH6327XTSA1 (PDF)

Product Catalogs

SPICE Models

SimulationModel OptiMOS™ Power MOSFET PSpice 60V P-Channel (Compresser)

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Autriche

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance à signal faible

Les MOSFET de puissance à faible signal Infineon sont disponibles dans 7 types de boîtiers standard allant du plus large, le SOT-223, au plus petit, le SOT-363 qui mesure 2,1 mm x 2 mm x 0,9 mm. Ils sont disponibles en configuration simple, double ou complémentaire. Ils sont disponibles en version à canal N, à canal P ou complémentaire (canal P et canal N dans le même boîtier) pour répondre aux différents besoins de conception. Les applications habituelles de ces dispositifs comprennent la protection des batteries, l'éclairage à LED, les pilotes à faible tension et les convertisseurs CC/CC. Tous les MOSFET de puissance à signal faible sont qualifiés Automotive AEC Q101.
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