BSS126IXTSA1

Infineon Technologies
726-BSS126IXTSA1
BSS126IXTSA1

Fab. :

Description :
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS

Modèle de ECAO:
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0,193 € 1,93 €
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0,065 € 585,00 €
0,047 € 1 128,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
600 V
21 mA
500 Ohms
- 20 V, 20 V
2.7 V
1.4 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Depletion
Reel
Cut Tape
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Single
Temps de descente: 115 ns
Transconductance directe - min.: 0.008 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 9.7 ns
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N - Channel
Délai de désactivation type: 14 ns
Délai d'activation standard: 6.1 ns
Raccourcis pour l'article N°: BSS126I SP005425148
Poids de l''unité: 8 mg
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:
Chine
Pays de diffusion:
Malaisie
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance à signal faible

Les MOSFET de puissance à faible signal Infineon sont disponibles dans 7 types de boîtiers standard allant du plus large, le SOT-223, au plus petit, le SOT-363 qui mesure 2,1 mm x 2 mm x 0,9 mm. Ils sont disponibles en configuration simple, double ou complémentaire. Ils sont disponibles en version à canal N, à canal P ou complémentaire (canal P et canal N dans le même boîtier) pour répondre aux différents besoins de conception. Les applications habituelles de ces dispositifs comprennent la protection des batteries, l'éclairage à LED, les pilotes à faible tension et les convertisseurs CC/CC. Tous les MOSFET de puissance à signal faible sont qualifiés Automotive AEC Q101.
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