BSZ018NE2LSIXT

Infineon Technologies
726-BSZ018NE2LSIATMA
BSZ018NE2LSIXT

Fab. :

Description :
MOSFET N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS

Cycle de vie:
NRND:
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Fab. Numéro de référence:
Conditionnement:
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
153 A
1.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
39 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: MY
Temps de descente: 3.4 ns
Transconductance directe - min.: 70 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 4.4 ns
Nombre de pièces de l'usine: 5000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 26 ns
Délai d'activation standard: 5.5 ns
Raccourcis pour l'article N°: SP000906032 BSZ018NE2LSIATMA1
Poids de l''unité: 38,760 mg
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

20V-60V OptiMOS Power MOSFETs

Infineon's 20V-60V OptiMOS Power MOSFETs are innovative products that serve the market needs throughout the whole energy supply chain. OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar microinverter), power supply (e.g. server and telecom), and power consumption (e.g. electric vehicle). These devices consistently set the benchmark in key specifications for power system design, including leading on-state resistance and Figure of Merit characteristics which lead to reduced power losses and improved overall efficiency. These help customers that face the challenge of growing power demand, higher efficiency, and lower cost.