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FD1000R33HL3-K

Name: Infineon FD1000R33HL3-K
Brand: Infineon Technologies
SKU: 641-FD1000R33HL3-K
Price: 1760.82 EUR
Availability: Discontinued

N° Mouser :

641-FD1000R33HL3-K

N° de fab. :

FD1000R33HL3-K

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

Modules IGBT IHV IHM T

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

FD1000R33HL3-K Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	Modules IGBT
RoHS:
REACH - SVHC:
Produit:	IGBT Silicon Modules
Configuration:	Dual
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	3.3 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	2.4 V
Courant collecteur continu de 25 C:	1 kA
Courant de fuite gâchette-émetteur:	400 nA
Pd - Dissipation d’énergie :	1.6 MW
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Conditionnement:	Tray
Marque:	Infineon Technologies
Type de produit:	IGBT Modules
Série:	Chopper IGBT3
Nombre de pièces de l'usine:	1
Sous-catégorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Raccourcis pour l'article N°:	SP001181626 FD1000R33HL3KBPSA1
Poids de l''unité:	1,2 kg