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FM25V01A-G

Name: Infineon FM25V01A-G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-FM25V01A-G
Price: 5.25 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

727-FM25V01A-G

N° de fab. :

FM25V01A-G

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

F-RAM FRAM

Fiche technique:

FM25V01A-G Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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En stock: 638

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	5,25 €	5,25 €
	4,89 €	48,90 €
	4,75 €	118,75 €
	4,49 €	224,50 €
	4,38 €	438,00 €
	4,27 €	1 067,50 €
	4,17 €	2 085,00 €
	4,04 €	3 918,80 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

FM25V01A-GTR

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

5,18 €

Min.:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	F-RAM
RoHS:
Taille de la mémoire:	128 kbit
Type d'interface:	SPI
Fréquence de l'horloge max.:	25 MHz, 40 MHz
Organisation:	16 k x 8
Package/Boîte:	SOIC-8
Tension d’alimentation - Min.:	2 V
Tension d’alimentation - Max.:	3.6 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Tension d'alimentation de fonctionnement:	3.3 V
Type de produit:	FRAM
Nombre de pièces de l'usine:	970
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Poids de l''unité:	540 mg

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Fiche technique

FM25V01A-G Fiche technique (PDF)

Statement Regarding the RoHS Compliance of Cypress Products

Codes de conformité

TARIC:: 8542329000
CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: États-Unis
Pays d'origine de l'assemblage:: Thaïlande
Pays de diffusion:: États-Unis

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

FM25V01A 128-Kbit Serial (SPI) F-RAM

Infineon Technologies FM25V01A 128-Kbit Serial (SPI) F-RAM is a nonvolatile memory that uses a highly advanced ferroelectric process. FM25V01A is similar to RAM in performance and provides data retention for 151 years. F-RAM provides write operations at high speeds and has a very fast serial peripheral interface (SPI). This feature enhances the high-speed write capability of F-RAM technology. It consumes low power and has a voltage operation of 2V to 3.6V. The Infineon FM25V01A can support 100 million times more write cycles than EEPROM.