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FP50R12N2T7PBPSA1

Name: Infineon FP50R12N2T7PBPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FP50R12N2T7PBPSA
Price: 66.4 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

726-FP50R12N2T7PBPSA

N° de fab. :

FP50R12N2T7PBPSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

Modules IGBT 1200 V, 50 A PIM IGBT module

Fiche technique:

FP50R12N2T7PBPSA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	66,40 €	66,40 €
	56,12 €	561,20 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	Modules IGBT
Produit:	IGBT Silicon Modules
Configuration:	3-Phase Inverter
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.5 V
Courant collecteur continu de 25 C:	50 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	100 nA
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Tray
Marque:	Infineon Technologies
Tension de l'émetteur de porte max.:	20 V
Style de montage:	Through Hole
Type de produit:	IGBT Modules
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Raccourcis pour l'article N°:	FP50R12N2T7P SP005407056

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Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Hongrie
Pays d'origine de l'assemblage:: Hongrie
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Modules IGBT PIM 1 200 V

Les modules IGBT PIM 1 200 V d'Infineon offrent la technologie de diode EC7 et IGBT7 TRENCHSTOP™ basée sur la toute dernière technologie de tranchée à micro-motifs. Cette technologie réduit fortement les pertes et offre un haut niveau de contrôle. Le concept de cellule est caractérisé par la mise en œuvre de cellules à tranchée parallèles séparées par des mesas de moins d'un micron, ce qui n'est pas le cas des cellules à tranchée carrées précédemment utilisées. La puce est spécialement optimisée pour les applications d'entraînement industriel et les systèmes d'énergie solaire, et se traduit par des pertes statiques beaucoup plus faibles, une densité de puissance plus élevée et une commutation plus douce. Une augmentation significative de la densité de puissance peut être obtenue en augmentant la température de fonctionnement maximale autorisée jusqu’à 175 °C dans les modules IGBT PIM 1 200 V d'Infineon.