Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

FS01MR08A8MA2CHPSA1

Name: Infineon FS01MR08A8MA2CHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS01MR08A8MA2CHP
Price: 962.18 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-FS01MR08A8MA2CHP

N° de fab. :

FS01MR08A8MA2CHPSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

Modules à semi-conducteurs discrets HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

FS01MR08A8MA2CHPSA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Infineon Technologies FS01MR08A8MA2CHPSA1

En stock: 6

Stock:: 6 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 39 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	962,18 €	962,18 €
	848,82 €	10 185,84 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	Modules à semi-conducteurs discrets
RoHS:
Produit:	SiC MOSFET Modules
Type:	Bridge Power Module
Technologie:	SiC
Vf - Tension directe:	4.64 V
Vgs - Tension grille-source:	- 5 V, + 19 V
Style de montage:	Press Fit
Série:	HybridPACK
Conditionnement:	Tray
Marque:	Infineon Technologies
Temps de descente:	53 ns
Id - Courant continu de fuite:	620 A
Type de produit:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Résistance drain-source:	1.69 mOhms
Temps de montée:	108 ns
Nombre de pièces de l'usine:	6
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Délai de désactivation type:	318 ns
Délai d'activation standard:	128 ns
Vds - Tension de rupture drain-source:	750 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.9 V
Raccourcis pour l'article N°:	FS01MR08A8MA2C SP006071563

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

FS01MR08A8MA2CHPSA1 Fiche technique (PDF)

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

Codes de conformité

ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Allemagne
Pays d'origine de l'assemblage:: Allemagne
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Modules HybridPACK™ Drive G2

Les modules HybridPACK™ Drive G2 d'Infineon Technologies sont des modules d'alimentation compacts conçus pour la traction des véhicules électriques et hybrides. Les modules G2 d’Infineon Technologies offrent des niveaux de performance évolutifs en utilisant des technologies silicium ou SiC et différents chipsets, tout en maintenant la même taille de module. Introduits en 2017 avec la technologie EDT2 au silicium, ils ont été optimisés pour l’efficacité dans la conduite réelle. En 2021, une version CoolSiC™ a été introduite, offrant une densité de cellules plus élevée et de meilleures performances. En 2023, la deuxième génération, HybridPACK Drive G2, a été lancée avec les technologies EDT3 (Si IGBT) et CoolSiC™ G2 MOSFET, offrant une facilité d'utilisation et des options d'intégration des capteurs, permettant des performances jusqu'à 300 kW dans les classes 750 V et 1 200 V.