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FS1150R08A8P3LBCHPSA1

Name: Infineon FS1150R08A8P3LBCHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS1150R08A8P3LBC
Price: 390.96 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-FS1150R08A8P3LBC

N° de fab. :

FS1150R08A8P3LBCHPSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

Modules à semi-conducteurs discrets HYBRID PACK DRIVE G2 SI

Cycle de vie:

Nouveau chez Mouser

Fiche technique:

FS1150R08A8P3LBCHPSA1 Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	Modules à semi-conducteurs discrets
RoHS:
Technologie:	Si
Série:	G2
Conditionnement:	Tray
Marque:	Infineon Technologies
Type de produit:	Discrete Semiconductor Modules
Nombre de pièces de l'usine:	6
Sous-catégorie:	Discrete Semiconductor Modules
Nom commercial:	HybridPACK
Raccourcis pour l'article N°:	FS1150R08A8P3LBC SP005724696

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Fiche technique

FS1150R08A8P3LBCHPSA1 Fiche technique (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Modules HybridPACK™ Drive G2

Les modules HybridPACK ™ Drive G2 d'Infineon Technologies sont des modules d'alimentation compacts conçus pour les tractions de véhicules électriques et hybrides. Les modules G2 d'Infineon Technologies offrent des niveaux de performances évolutifs en utilisant les technologies Si ou SiC et différents chipsets, tout en conservant la même taille de module. Introduit en 2017 avec technologie EDT2 silicium, il a été optimisé pour plus d'efficacité en conduite réelle. En 2021, une version CoolSiC™ a été introduite, offrant une densité de cellule plus élevée et de meilleures performances. En 2023, la deuxième génération, HybridPACK Drive G2, a été lancée avec les technologies de MOSFET EDT3 (Si IGBT) et CoolSiC™ G2, offrant plus de facilité d'utilisation et d'options d'intégration pour les capteurs, permettant des performances atteignant 300 kW dans les classes 750 V et 1 200 V.