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FS50R12N2T7B15BPSA2

Name: Infineon FS50R12N2T7B15BPSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS50R12N2T7B15B2
Price: 51.94 EUR
Availability: InStock

N° Mouser :

726-FS50R12N2T7B15B2

N° de fab. :

FS50R12N2T7B15BPSA2

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

Modules IGBT 1200 V, 50 A sixpack IGBT module

Fiche technique:

FS50R12N2T7B15BPSA2 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	51,94 €	51,94 €
	46,82 €	468,20 €
	45,24 €	4 750,20 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	Modules IGBT
Produit:	IGBT Silicon Modules
Configuration:	6-Pack
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.5 V
Courant collecteur continu de 25 C:	50 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	100 nA
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Tray
Marque:	Infineon Technologies
Pays d’assemblage:	HU
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	AT
Type de produit:	IGBT Modules
Nombre de pièces de l'usine:	15
Sous-catégorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Raccourcis pour l'article N°:	FS50R12N2T7_B15 SP005612508

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Modules IGBT Sixpack 1 200 V

Les modules IGBT Sixpack 1 200 V d'Infineon sont des modules IGBT Sixpack EasyPACK™1 B avec IGBT7 TRENCHSTOP ™, diode 7 contrôlée par émetteur et technologie NTC Cette technologie réduit fortement les pertes et offre un haut niveau de contrôle. Le concept de cellule est caractérisé par la mise en œuvre de cellules à tranchée parallèles séparées par des mesas de moins d'un micron, ce qui n'est pas le cas des cellules à tranchée carrées précédemment utilisées. La puce est spécialement optimisée pour les applications d'entraînement industriel et les systèmes d'énergie solaire, et se traduit par des pertes statiques beaucoup plus faibles, une densité de puissance plus élevée et une commutation plus douce. Une augmentation significative de la densité de puissance peut être obtenue en augmentant la température de fonctionnement maximale autorisée jusqu’à 175°C dans les modules IGBT Sixpack 1 200 V d'Infineon.