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IKB40N65EF5ATMA1

Name: Infineon IKB40N65EF5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKB40N65EF5ATMA1
Price: 4.41 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IKB40N65EF5ATMA1

N° de fab. :

IKB40N65EF5ATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

IGBTs INDUSTRY

Fiche technique:

IKB40N65EF5ATMA1 Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,41 €	4,41 €
	2,89 €	28,90 €
	2,10 €	210,00 €
	1,87 €	935,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	1,74 €	1 740,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Style de montage:	SMD/SMT
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.6 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	74 A
Pd - Dissipation d’énergie :	250 W
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	Trenchstop IGBT5
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Courant de collecteur continu Ic max.:	74 A
Pays d’assemblage:	MY
Pays de diffusion:	DE
Pays d'origine:	DE
Courant de fuite gâchette-émetteur:	100 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	IGBTs
Nom commercial:	TRENCHSTOP
Raccourcis pour l'article N°:	IKB40N65EF5 SP001509612
Poids de l''unité:	1,561 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

TRENCHSTOP™ 5 F5 Discrete IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 F5 Discrete IGBTs are optimized for switching >60kHz to deliver optimum efficiency, bridging the gap between MOSFETs and IGBTs. The F5 series features significantly lower switching losses compared to currently leading solutions. Targeting topologies are boost stages, PFC (AC-DC) stages, and high voltage DC-DC topologies commonly found in applications like uninterruptible power supplies (UPS), inverter welding machines, and switch-mode power supplies. The 650V TRENCHSTOP 5 F5 IGBTs are targeted for low inductance designs in combination with SiC diodes to offer 1% higher efficiency compared to 650V TRENCHSTOP 5 H5 family.

IGBT TRENCHSTOP™ 5

Les IGBT TRENCHSTOP™5 Infineon sont la prochaine génération d'IGBT à couche mince (transistor bipolaire à porte isolée) et offrent des pertes conduction et de commutation considérablement réduites par rapport aux solutions leaders du marché. Aucun IGBT du marché n'égale les performances du TRENCHSTOP™5. Ces IGBT sont conçus pour les applications où la fréquence de commutation dépasse >10 kHz. L'épaisseur de couche a été réduite de plus de 25 %, ce qui permet une amélioration exceptionnelle en termes de pertes de commutation et conduction, tout en offrant une tension de perçage de 650 V. Ce pas de géant en termes d'efficacité permet de repousser les limites auxquelles les concepteurs étaient exposés auparavant.
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