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IPA60R060C7XKSA1

Name: Infineon IPA60R060C7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPA60R060C7XKSA1
Price: 7.26 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IPA60R060C7XKSA1

N° de fab. :

IPA60R060C7XKSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET HIGH POWER_NEW

Fiche technique:

IPA60R060C7XKSA1 Fiche technique (PDF)

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	7,26 €	7,26 €
	3,94 €	39,40 €
	3,62 €	362,00 €
	3,31 €	1 655,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	16 A
Rds On - Résistance drain-source:	115 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	68 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	34 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolMOS
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	4 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	11 ns
Série:	CoolMOS C7
Nombre de pièces de l'usine:	500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	79 ns
Délai d'activation standard:	15.5 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IPA60R060C7 SP001385002
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

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Product Catalogs

SPICE Models

Simulation Model CoolMOS™ Power MOSFET PSpice 600V C7 (Compresser)

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Autriche

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs are optimized for energy efficiency, power density, and ease of use. CoolMOS 7 technology is optimized for specific applications with innovative package concepts and various technologies. CoolMOS 7 MOSFETS are ideal for applications like making electric vehicle charging stations smaller with higher outputs resulting in faster car charging. Thanks to CoolMOS 7, adapters and chargers can be made smaller, lighter, and more efficient. With CoolMOS 7, engineers can make renewable energy systems cheaper and more efficient.

CoolMOS™ C7 Power MOSFETs

Infineon's CoolMOS™ C7 Power MOSFETs are a revolutionary step forward in technology, providing low R_DS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range. The C7 is optimized for hard switching topologies such as Power Factor Correction (CCM PFC), Two Transistor Forward (TTF) and Solar Boost in applications such as Solar, Server, Telecom and UPS. The 650V breakdown voltage makes it suitable for Solar and Switched Mode Power Supplies (SMPS) PFC stages where extra safety margin are required. They offer the world's lowest R_DS(on) of 19mΩ in a TO-247 and 45mΩ in TO-220 and D²PAK packages. The fast switching performance of C7 now enables customers to operate at switching frequencies greater than 100kHz while achieving titanium levels of efficiency in Server PFC stages.