IPA60R080P7XKSA1

Infineon Technologies
726-IPA60R080P7XKSA1
IPA60R080P7XKSA1

Fab. :

Description :
MOSFET HIGH POWER_NEW

Fiche technique:
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

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Ext. Prix
4,65 € 4,65 €
2,43 € 24,30 €
2,21 € 221,00 €
1,83 € 915,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
37 A
69 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
51 nC
- 55 C
+ 150 C
29 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Single
Temps de descente: 5 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 10 ns
Série: CoolMOS P7
Nombre de pièces de l'usine: 500
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 70 ns
Délai d'activation standard: 15 ns
Raccourcis pour l'article N°: IPA60R080P7 SP001658398
Poids de l''unité: 2 g
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Allemagne
Pays d'origine de l'assemblage:
Chine
Pays de diffusion:
Autriche
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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