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IPA60R199CP

Name: Infineon IPA60R199CP
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPA60R199CP
Price: 3.84 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-IPA60R199CP

N° de fab. :

IPA60R199CP

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET N-Ch 600V 16A TO220FP-3 CoolMOS CP

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

IPA60R199CP Fiche technique (PDF)

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,84 €	3,84 €
	1,97 €	19,70 €
	1,79 €	179,00 €
	1,46 €	730,00 €
	1,42 €	1 420,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220FP-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	16 A
Rds On - Résistance drain-source:	199 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	32 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	34 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolMOS
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5 ns
Série:	CoolMOS CE
Nombre de pièces de l'usine:	500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	50 ns
Délai d'activation standard:	10 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SP000094146 IPA6R199CPXK IPA60R199CPXKSA1
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

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Product Catalogs

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Allemagne

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance CE CoolMOS™

Les MOSFET de puissance CE CoolMOS™ Infineon sont une plate-forme technologique constituée de MOSFET de puissance haute tension conformément au principe de super-jonction (SJ) et conçue pour répondre intégralement aux besoins du consommateur. La gamme CE CoolMOS™ offre des dispositifs 500 V, 600 V et 650 V ciblés pour les chargeurs basse puissance de dispositifs mobiles et outils motorisés, les adaptateurs pour ordinateurs portables et les applications TV LED ou LCD ainsi que l'éclairage LED. Cette nouvelle série CoolMOS™ a été optimisée en termes de coût afin de répondre intégralement aux besoins du consommateur sans compromis sur la qualité et la fiabilité éprouvées de la gamme CoolMOS™ et tout en restant bon marché.
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