IPB120P04P404ATMA2

Infineon Technologies
726-IPB120P04P404ATM
IPB120P04P404ATMA2

Fab. :

Description :
MOSFET MOSFET_(20V 40V)

Modèle de ECAO:
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1,19 € 1 190,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TO-263-3
P-Channel
1 Channel
40 V
120 A
2.9 mOhms
- 16 V, 5 V
3 V
158 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marque: Infineon Technologies
Pays d’assemblage: MY
Pays de diffusion: AT
Pays d'origine: AT
Temps de descente: 52 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 20 ns
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 P-Channel
Délai de désactivation type: 49 ns
Délai d'activation standard: 30 ns
Raccourcis pour l'article N°: IPB120P04P4-04 SP002325758 IPB120P04P404ATMA1 SP000842270
Poids de l''unité: 324 mg
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

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Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Super fast switching Control FETs together with low EMI Sync FETs provide solutions that are easy to design in. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power Transistors provide excellent gate charge and are optimized for dc-dc conversion. OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in optimizing space, efficiency and cost. OptiMOS™ products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

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