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IPB60R165CP

Name: Infineon IPB60R165CP
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB60R165CP
Price: 4.07 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-IPB60R165CP

N° de fab. :

IPB60R165CP

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP

Cycle de vie:

Fin de vie:

Ce produit va devenir obsolète et ne sera plus disponible chez le fabricant.

Fiche technique:

IPB60R165CP Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	4,07 €	4,07 €
	2,69 €	26,90 €
	2,11 €	211,00 €
	1,87 €	935,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	1,66 €	1 660,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

IPB60R165CPATMA1

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

4,32 €

Min.:

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Fab. :

Infineon Technologies

N° de fab. :

IPB60R120P7ATMA1

Description :

MOSFET HIGH POWER_NEW

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	21 A
Rds On - Résistance drain-source:	150 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	52 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	192 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolMOS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5 ns
Série:	CoolMOS CE
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	50 ns
Délai d'activation standard:	12 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IPB6R165CPXT SP000096439 IPB60R165CPATMA1
Poids de l''unité:	4 g

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Product Catalogs

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: Malaisie

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance CE CoolMOS™

Les MOSFET de puissance CE CoolMOS™ Infineon sont une plate-forme technologique constituée de MOSFET de puissance haute tension conformément au principe de super-jonction (SJ) et conçue pour répondre intégralement aux besoins du consommateur. La gamme CE CoolMOS™ offre des dispositifs 500 V, 600 V et 650 V ciblés pour les chargeurs basse puissance de dispositifs mobiles et outils motorisés, les adaptateurs pour ordinateurs portables et les applications TV LED ou LCD ainsi que l'éclairage LED. Cette nouvelle série CoolMOS™ a été optimisée en termes de coût afin de répondre intégralement aux besoins du consommateur sans compromis sur la qualité et la fiabilité éprouvées de la gamme CoolMOS™ et tout en restant bon marché.
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