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IPBE65R230CFD7AATMA1

Name: Infineon IPBE65R230CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPBE65R230CFD7AA
Price: 3.57 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IPBE65R230CFD7AA

N° de fab. :

IPBE65R230CFD7AATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS

Fiche technique:

IPBE65R230CFD7AATMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	3,57 €	3,57 €
	2,35 €	23,50 €
	1,64 €	164,00 €
	1,37 €	685,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	1,28 €	1 280,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263-7-11
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	11 A
Rds On - Résistance drain-source:	439 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	23 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	63 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Nom commercial:	CoolMOS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Pays d’assemblage:	MY
Pays de diffusion:	AT
Pays d'origine:	MY
Temps de descente:	5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	3 ns
Série:	CoolMOS CFD7A
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	56 ns
Délai d'activation standard:	13 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IPBE65R230CFD7A SP005344079

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Models

IPBE65R230CFD7AATMA1

Product Catalogs

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance à super-jonction CFD7A CoolMOS™ 650 V

Les MOSFET de puissance à super-jonction CFD7A CoolMOS 650 V™ d'Infineon répondent aux applications de véhicules électriques telles que les chargeurs embarqués, les convertisseurs CC-CC HT-LV et les alimentations auxiliaires. Grâce à la résistance améliorée aux radiations cosmiques, les MOSFET de puissance à super-jonction CFD7A CoolMOS permettent d’appliquer des tensions de batterie plus élevées à un taux de fiabilité égal à celui des générations précédentes et à d’autres offres du marché. Les MOSFET de puissance à super-jonction CFD7A CoolMOS assurent des niveaux de haut rendement dans les topologies de commutation dure et résonnante, en particulier dans des conditions de faible charge. Des fréquences de commutation plus élevées à des niveaux de perte de grille comparables à ceux des anciennes générations peuvent être atteintes. La réduction du poids du système et de l'encombrement permettent des conceptions plus compactes.

CoolMOS™ Power Transistors

Infineon CoolMOS™ Power Transistors use the revolutionary CoolMOS™ technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon. CoolMOS™ C6 and E6 power transistor series combine the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high-class innovation. The resulting devices provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.