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IPD60R180CM8XTMA1

Name: Infineon IPD60R180CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD60R180CM8XTMA
Price: 2.2 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IPD60R180CM8XTMA

N° de fab. :

IPD60R180CM8XTMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET HIGH POWER_NEW

Fiche technique:

IPD60R180CM8XTMA1 Fiche technique (PDF)

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Ext. Prix:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
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	1,32 €	13,20 €
	0,929 €	92,90 €
	0,771 €	385,50 €
	0,71 €	710,00 €
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	0,658 €	1 645,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-252-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	18 A
Rds On - Résistance drain-source:	180 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.7 V
Qg - Charge de grille:	17 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	127 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolMOS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	AT
Pays d'origine:	DE
Temps de descente:	12.8 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6 ns
Série:	600V CM8
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	88.4 ns
Délai d'activation standard:	17.2 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IPD60R180CM8 SP005578057

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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