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IPD70P04P4L08ATMA2

Name: Infineon IPD70P04P4L08ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD70P04P4L08ATM
Price: 1.73 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IPD70P04P4L08ATM

N° de fab. :

IPD70P04P4L08ATMA2

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

Fiche technique:

IPD70P04P4L08ATMA2 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,73 €	1,73 €
	0,98 €	9,80 €
	0,705 €	70,50 €
	0,597 €	298,50 €
	0,546 €	546,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,491 €	1 227,50 €
	0,483 €	2 415,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	70 A
Rds On - Résistance drain-source:	9.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 16 V, 5 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.7 V
Qg - Charge de grille:	71 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	75 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Temps de descente:	4 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	10 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	50 ns
Délai d'activation standard:	12 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IPD70P04P4L-08 SP002325772
Poids de l''unité:	4 g

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Fiche technique

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Product Catalogs

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Autriche
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: Autriche

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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