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IPD90P03P4L-04

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N° Mouser :

726-IPD90P03P4L04

N° de fab. :

IPD90P03P4L-04

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET P-Ch -30V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2

Cycle de vie:

Fin de vie:

Ce produit va devenir obsolète et ne sera plus disponible chez le fabricant.

Fiche technique:

IPD90P03P4L-04 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Remplacement possible

Fab. :

Infineon Technologies

N° de fab. :

IPD90P03P4L04ATMA2

Description :

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	90 A
Rds On - Résistance drain-source:	6.8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	125 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	137 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q100
Nom commercial:	OptiMOS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	40 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	11 ns
Série:	OptiMOS-P2
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	140 ns
Délai d'activation standard:	17 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IPD9P3P4L4XT SP000396300 IPD90P03P4L04ATMA1
Poids de l''unité:	330 mg

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Fiche technique

IPD90P03P4L-04 Fiche technique (PDF)

EOL

Product Discontinuance Notification 2024-06-27 (PDF)

Product Catalogs

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: Autriche

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Infineon OptiMOS™ 3

Infineon's OptiMOS™ 3 40V, 60V, and 80V families reduce power losses up to 30% in a given standard TO package. The low switching losses and on-state resistance of the devices enable an increase in power densities by up to 30% and a reduction in part count for a given application by more than 25%, compared to competitive solutions. The OptiMOS™ 3 devices offer best-in-class RDS(on), achieving an RDS(on) as low as 1.6mΩ for 40V products in SuperSO8™ packages, 3.5mΩ for 60V products in D-PAK packages, and 2.5mΩ for 80V products in D2-PAK packages. The MOSFETs are ideal for a variety of power conversion and management applications, including SMPSs, DC/DC converters, and DC motor drives.