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IPI60R199CPXKSA2

Name: Infineon IPI60R199CPXKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPI60R199CPXKSA2
Price: 1.31 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

726-IPI60R199CPXKSA2

N° de fab. :

IPI60R199CPXKSA2

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

Fiche technique:

IPI60R199CPXKSA2 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-262-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	16 A
Rds On - Résistance drain-source:	199 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	11 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	139 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolMOS
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Type de produit:	MOSFETs
Série:	CoolMOS CE
Nombre de pièces de l'usine:	500
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	IPI60R199CP SP001109508
Poids de l''unité:	2,387 g

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Fiche technique

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Product Catalogs

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Malaisie

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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