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IPL65R115CFD7AUMA1

Name: Infineon IPL65R115CFD7AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPL65R115CFD7AUM
Price: 4.39 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-IPL65R115CFD7AUM

N° de fab. :

IPL65R115CFD7AUMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET HIGH POWER_NEW

Cycle de vie:

Fin de vie:

Ce produit va devenir obsolète et ne sera plus disponible chez le fabricant.

Fiche technique:

IPL65R115CFD7AUMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,39 €	4,39 €
	2,92 €	29,20 €
	2,09 €	209,00 €
	1,99 €	995,00 €
	1,86 €	1 860,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	1,86 €	5 580,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	VSON-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	24 A
Rds On - Résistance drain-source:	115 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	41 nC
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	144 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	MY
Pays de diffusion:	DE
Pays d'origine:	DE
Temps de descente:	3 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6.5 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	16 ns
Délai d'activation standard:	70 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IPL65R115CFD7 SP005559260